FeFET的优点是所有的eNVM技术路线中最均衡的，没有特别突出的缺点，未来可期

【本文来自《北大团队实现芯片领域重要突破》评论区，标题为小编添加】

cirqual

关键是能不能走出实验室，进行规模化、商业化生产和使用。什么时候能发货！😂

可能会比较快，但也可能还会等一等。报道的铁电晶体管（FeFET）其实就是现在备受瞩目的下一代存储器嵌入式非易失性存储器（缩写eNVM，不供电的情况下保持数据完好无损）的一个技术路线。

eNVM比较常见的技术路线是eFlash，像智能卡，SIM卡，MCU，电源和电池管理IC和显示驱动器IC等，应用广泛。但eFlash的缺点是写入电压高（10V），写入能量大，且寿命偏短。

eNVM除了eFlash，还有电阻式随机存取存储器（RRAM），自旋转移矩磁随机存储器（STT-MRAM），相变存储器（PCM）， 铁电随机存取存储器（FeRAM），和报道里的铁电场效应管（FeFET），这些技术路线中，其他的都已经量产了，唯独FeFET还未量产。

FeFET之所以还未量产，就是因为FeFET阵列级的工艺成熟度不高，格芯的22纳米工艺FeFET在器件级测试结果尚好，但阵列式的测试结果则一下子掉的非常厉害，无法实用。

但FeFET的优点是所有的eNVM技术路线中最均衡的，没有特别突出的缺点。看报道，这次北大的成果将写入电压一下子缩小到0.6V，这个比目前写入电压最低的SRAM还要低。所以，FeFET的未来还是非常值得期待的。

但量产的前提，归根结底是工艺成熟性，综合成本等。所以说对其的性能期待可能会让量产更快，但同样遇到的困难也可能让其量产还要再等等，现在还难以预测。